PSD二合一内置MOSFET系列电路是精度的单节可充电锂 电池的内置 MOSFET 保护电路，它集高精度过电压充 电保护、过电压放电保护、过电流放电保护等性能于一 身。 

正常状态下，PA1G12 的 VDD端电压在过电压充电 保护阈值（VOC）和过电压放电保护阈值（VOD）之间， 且其 VM 检测端电压在充电器检测电压（VCHG）与过电 流放电保护阈值（VEDI）之间，此时 PA1G12 分别使内 置 N-MOS 管 M1 和放电控制 N-MOS 管 M2 导通。这 时，既可以使用充电器对电池充电，也可以通过负载使 电池放电。 

IC 通过检测 VDD 或 VM 端电压（相对于 VSS 端）来进行过充/放电保护。当充/放电保护条件发生时， 内置 M1/M2 由导通变为截止，从而充/放电过程停止。            
IC 对每种保护状态都有相应的恢复条件，当 恢复条件满足以后，内置 M1/M2 由截止变为导通，从而 进入正常状态。 
IC 对每种保护/恢复条件都设置了一定的延 迟时间，只有在保护/恢复条件持续到相应的时间以后， 才进行相应的保护/恢复。如果保护/恢复条件在相应的 延迟时间以前消除，则不进入保护/恢复状态。 
IC 内部集成 RC、内置 MOSFET，特别适合在空间有限的电池电源系统中使用。